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Datasheet下载- 型号： FDMS3669S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3669S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3669S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3669S封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 沟道（双）非对称型 Mosfet 阵列 30V 13A，18A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS3669S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS3669S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDMS3669S是一款集成MOSFET阵列器件，内部包含两个N沟道功率MOSFET，通常采用先进的封装技术（如PowerTrench®），具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好热性能的特点。该器件属于晶体管-MOSFET阵列类别，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场合。 典型应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：在主板、显卡或服务器电源中用于降压（Buck）转换器，提升电源转换效率； 2. 笔记本电脑与超极本电源管理：用于CPU核心供电、内存电压调节等多相VRM设计； 3. 负载开关与电源分配：控制外设或模块的供电通断，实现低功耗管理； 4. 电机驱动电路：在小型直流电机或步进电机驱动中作为开关元件； 5. LED背光驱动：用于便携式设备LCD屏幕的恒流驱动电路。 由于其集成化设计，FDMS3669S可减少外围元件数量，缩小PCB面积，提高系统可靠性，特别适用于空间受限且对能效要求高的便携式电子设备和高密度电源系统。同时，器件具备良好的热稳定性和抗瞬态能力，适合工业级工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3669SPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS3669S |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1605pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS3669SDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 171 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | Power56 |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 113 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A，18A |
| 系列 | FDMS3669S |
| 配置 | Dual Asymmetric |
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