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  • 型号: NE68019-T1-A
  • 制造商: CEL
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NE68019-T1-A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE68019-T1-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE68019-T1-A价格参考。CELNE68019-T1-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 100mW Surface Mount SOT-523。您可以下载NE68019-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE68019-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CEL的NE68019-T1-A是一款射频双极结型晶体管(RF BJT),广泛应用于高频和射频放大电路中。该器件适用于无线通信系统、射频发射模块、频率合成器及各类射频测试设备中的功率放大或低噪声放大电路。其主要应用场景包括:

1. 无线通信设备:如基站、微波通信系统、蜂窝网络设备等,用于信号放大和传输;
2. 射频识别(RFID)系统:在读写器中作为射频信号放大元件;
3. 工业控制与测量仪器:用于射频信号发生器、频谱分析仪等设备中的放大电路;
4. 消费类电子产品:如高端路由器、无线音频传输设备等需要高频信号处理的场景;
5. 航空航天与军事电子:在雷达、导航系统中承担高频放大功能。

该晶体管具备良好的高频特性与线性度,适合工作在UHF至微波频段,能够满足对性能和稳定性要求较高的射频应用需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

CEL

数据手册

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产品图片

产品型号

NE68019-T1-A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,3V

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供应商器件封装

3 针 SuperMiniMold (19)

其它名称

2SC5008-T1-A
NE68019-ATR
NE68019-ATR-ND
NE68019-T1-ATR
NE68019T1A

功率-最大值

100mW

包装

带卷 (TR)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

9.6dB ~ 13.5dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-523

晶体管类型

NPN

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

10V

电流-集电极(Ic)(最大值)

35mA

频率-跃迁

10GHz

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