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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFQ18A,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFQ18A,115价格参考。NXP SemiconductorsBFQ18A,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFQ18A,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFQ18A,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFQ18A,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),广泛应用于射频和高频电子线路中。该器件具有良好的高频性能和稳定性,适用于需要高增益和低噪声的场合。 其主要应用场景包括: 1. 射频放大器:BFQ18A,115 常用于构建射频前置放大器或驱动放大器,适用于无线通信系统中的信号增强,如蜂窝网络、广播接收设备等。 2. 高频振荡器:由于其优异的高频响应特性,可用于高频信号发生器或本地振荡源的设计。 3. 无线通信设备:在调幅(AM)、调频(FM)发射与接收设备中作为关键的信号处理元件,支持音频与射频信号的转换和放大。 4. 测试与测量仪器:用于射频测试设备中,如频谱分析仪、信号发生器等,以确保高频电路的准确性和稳定性。 5. 工业控制系统:在一些高频感应加热、射频识别(RFID)系统或其他工业自动化应用中,作为功率开关或信号放大元件使用。 综上所述,BFQ18A,115 凭借其优良的射频性能,在通信、广播、测试设备及工业控制等多个领域中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 18V 150MA SOT89射频双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFQ18A,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BFQ18A,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 25 @ 100mA,10V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
其它名称 | 568-6198-1 |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1000 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 2 V |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89 |
工厂包装数量 | 1000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 4000 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 18V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V |
集电极连续电流 | 0.15 A |
零件号别名 | BFQ18A T/R |
频率 | 4000 MHz |
频率-跃迁 | 4GHz |