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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLS2731-110,114
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS2731-110,114由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS2731-110,114价格参考。NXP SemiconductorsBLS2731-110,114封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS2731-110,114参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS2731-110,114 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLS2731-110,114 是一款高性能射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高效率、高功率的射频放大应用。该器件工作频率范围宽，特别适用于30MHz至3.5GHz频段，在蜂窝通信基础设施中表现优异。 典型应用场景包括： 1. 无线基站功率放大器：广泛用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基站的末级或驱动级放大，支持多载波和高线性度需求，满足现代通信系统对能效和信号质量的要求。 2. 工业与广播设备：适用于工业加热、射频激励源以及FM广播发射机中的射频功率放大环节，具备良好的热稳定性和可靠性。 3. 宽带射频放大系统：因其宽频带特性，适合用于需要覆盖多个通信频段的通用射频放大模块，减少系统中器件种类，提升集成度。 BLS2731-110,114采用先进的工艺技术，具有高增益、低失真和优良的热性能，能够在高电压和大电流条件下稳定工作，同时支持高效率Doherty或AB类放大器架构设计，有助于降低整体系统功耗和散热成本。其紧凑的封装形式也便于在密集布局的射频电路中使用。 综上，该器件主要面向高性能、高可靠性的通信与工业射频功率放大场景，是现代无线基础设施中的关键元器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER SOT423A |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS2731-110,114 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 3A，5V |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934045780114 |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 7dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-423A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 4 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 75V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12A |
| 频率-跃迁 | 3.1GHz |
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