Datasheet下载- 型号： NE856M02-AZ
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE856M02-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE856M02-AZ价格参考。CELNE856M02-AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE856M02-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE856M02-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE856M02-AZ 是由品牌 CEL 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频模拟信号放大和射频功率放大应用。该器件适用于工作频率在数百兆赫兹至数吉赫兹范围的无线通信系统，具备良好的增益、线性度和可靠性。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于基站、中继器等设备中的小信号或驱动级放大电路； 2. 射频收发模块：在无线局域网（WLAN）、物联网（IoT）设备及工业无线系统中实现射频信号放大； 3. 广播与电视传输设备：适用于UHF频段的视频信号放大与调制输出； 4. 雷达与传感器系统：作为低噪声前置放大器或中功率驱动级使用； 5. 民用与商用射频设备：如无线麦克风、遥控系统、RFID读写器等需要稳定射频性能的场合。 NE856M02-AZ 采用小型化封装，适合高密度贴装，具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在较宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用需求。其设计优化了射频性能参数，适合对尺寸、功耗和高频响应有较高要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE856M02-AZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE856M02-AZ |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 3dB @ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | M02 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 6.5GHz |
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