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Datasheet下载- 型号： PD84002
- 制造商： STMicroelectronics
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PD84002产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD84002由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD84002价格参考。STMicroelectronicsPD84002封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15dB 2W SOT-89。您可以下载PD84002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD84002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD84002是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，广泛应用于高频、高效率的无线通信系统中。该器件适用于UHF（特高频）和L波段等频率范围，常用于射频功率放大器设计。 典型应用场景包括：陆地移动通信系统（如警用无线电、消防通信、公共交通调度系统）、工业无线设备、基站功率放大模块以及需要高线性度与高可靠性的专业射频发射系统。PD84002具备良好的热稳定性和高增益特性，能够在较高的输出功率下保持较低的失真，因此特别适合在需长时间连续运行的通信设备中使用。 此外，该器件也适用于民用与工业级射频设备，如小型化中继站、远程无线数据传输装置等。其坚固的封装设计有助于提升散热性能，适应严苛工作环境。由于STMicroelectronics在半导体制造上的高品质控制，PD84002在可靠性与一致性方面表现优异，是专业射频应用中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF POWER LDMOST射频MOSFET晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD84002- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PD84002 |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 其它名称 | 497-8287 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF199442?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/pd8.html |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 系列 | PD84002 |
| 输出功率 | 2 W |
| 配置 | Single |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 2A |
