Datasheet下载- 型号： MRFE6VP8600HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP8600HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP8600HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP8600HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP8600HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP8600HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP8600HSR5 是由 NXP USA Inc. 生产的一款高功率 LDMOS 射频晶体管，属于射频MOSFET类别，常用于高性能射频功率放大器。该器件主要面向工业、科学和医疗（ISM）频段以及广播通信等应用场景。 其典型应用包括工作在1.8 MHz至470 MHz频率范围内的大功率射频放大系统，如AM/FM广播发射机、短波广播、数字电视（DTV）发射设备以及工业加热与等离子发生设备。由于其具备高达600W的连续波（CW）输出功率能力，优异的热稳定性和高效率，该器件特别适用于需要长时间高负载运行的严苛环境。 此外，MRFE6VP8600HSR5 还广泛应用于公共安全通信、军事通信和基站基础设施中，支持模拟与数字调制信号的放大，确保信号覆盖广、传输稳定。其增强型耐压设计也提升了在高驻波比（VSWR）条件下的可靠性，适合复杂阻抗匹配场景。 该器件采用屏蔽封装（HSR5），有助于降低电磁干扰，提升系统兼容性与稳定性，适用于紧凑型高密度射频模块设计。总体而言，MRFE6VP8600HSR5 是高性能、高可靠性的射频功率放大的关键元件，广泛服务于广播、通信和工业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP8600HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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