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IRF7240TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7240TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7240TRPBF价格参考¥4.76-¥5.13。International RectifierIRF7240TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 40V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7240TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7240TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7240TRPBF 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET,适用于低电压、大电流开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电池供电系统,实现电源通断控制与反向电流保护。 2. 负载开关:在DC-DC转换器或电压调节模块中作为高端或低端开关,控制电路的供电状态,提升能效。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低边开关,支持快速响应和高效控制。 4. 热插拔电路:用于服务器、通信设备等需带电插拔的场景,防止冲击电流损坏系统。 5. 消费类电子:广泛应用于智能手机、充电器、LED驱动模块等对空间和功耗敏感的产品中。 IRF7240TRPBF 具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热稳定性,适合高频工作环境。其SMD封装(如SO-8)便于自动化生产,节省PCB空间。此外,该器件符合RoHS标准,无铅环保,适用于工业控制、便携式设备及绿色电子产品设计。总体而言,IRF7240TRPBF 是一款高可靠性、高性能的MOSFET,特别适合需要高效能与紧凑设计的低压电源开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -40V -10.5A 15mOhm 73nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 10.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 10.5 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7240TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7240TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 73 nC |
Qg-栅极电荷 | 73 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 10.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7240TRPBF-ND |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 73 nC |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
漏极连续电流 | - 10.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.5A (Ta) |
闸/源击穿电压 | 20 V |