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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN420N10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN420N10T价格参考。IXYSIXFN420N10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN420N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN420N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN420N10T是一款高功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效、高电流和高电压控制的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐用性和良好的热稳定性,适用于以下几种典型应用场景: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,用于通信设备、工业控制系统中的高效能电源管理。 2. 电机驱动系统:可用于直流电机或无刷电机的驱动电路中,特别是在电动车、电动工具以及自动化设备中实现高速开关与调速功能。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)及光伏逆变器中作为核心开关元件,将直流电转换为交流电输出,具备良好的效率和可靠性。 4. 焊接设备:用于高频焊接机、等离子切割等高功率工业设备中,提供稳定的大电流开关能力。 5. 电池管理系统(BMS):在高容量电池组充放电控制中作为主开关使用,支持快速响应和过流保护功能。 6. LED照明系统:在大功率LED路灯或舞台灯光中用于恒流驱动和调光控制。 总之,IXFN420N10T因其优异的性能广泛应用于工业自动化、新能源、电力电子等多个领域,适合对效率与散热要求较高的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 420 A |
Id-连续漏极电流 | 420 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN420N10TGigaMOS™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFN420N10T |
Pd-PowerDissipation | 1070 W |
Pd-功率耗散 | 1.07 kW |
Qg-GateCharge | 670 nC |
Qg-栅极电荷 | 670 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 155 ns |
下降时间 | 255 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 670nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 60A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227B |
典型关闭延迟时间 | 115 ns |
功率-最大值 | 1070W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFET |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227B-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 110 S,185 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 420A |
系列 | IXFN420N10 |
通道模式 | Enhancement |