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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SUD50N10-18P-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N10-18P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N10-18P-E3价格参考。VishaySUD50N10-18P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD50N10-18P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50N10-18P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50N10-18P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电源管理系统中。该器件具有100V的漏源电压（VDS）和高达50A的连续漏极电流能力，导通电阻低（典型值约18mΩ），适合大电流、低损耗工作场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备和工业电源模块，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业控制中，作为电机控制的开关元件，提供快速响应和低功耗运行。 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路或充放电控制，因其低导通电阻可减少发热，提高系统效率与安全性。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和光伏逆变器中，用于功率切换和能量回馈控制。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统或辅助电机控制，满足严苛环境下的可靠性需求。 SUD50N10-18P-E3 采用TO-263（D²PAK）封装，具备良好的热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。其高耐用性和稳定性使其在工业、消费电子及汽车领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD50N10-18P-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.2A （Ta）， 50A （Tc） |
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