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Datasheet下载- 型号： TK12A55D(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12A55D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12A55D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12A55D(STA4,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK12A55D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12A55D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TK12A55D(STA4,Q,M)的MOSFET属于东芝（Toshiba Semiconductor and Storage）的晶体管产品线，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件是一款N沟道增强型MOSFET，具备较高的耐压和导通电流能力，适用于需要高效能与稳定性的电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源供应器：用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，作为开关元件以提高转换效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为功率开关，适用于电动工具、家电及自动化设备。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中用作开关元件，常见于便携式设备与储能系统。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性有较高要求的场景。 该MOSFET因其良好的热稳定性和低导通电阻，适合在中高功率应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12A55D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK12A55D(STA4,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 570 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK12A55D(STA4QM) |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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