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Datasheet下载- 型号： ZVP2110A
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP2110A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP2110A价格参考。Diodes Inc.ZVP2110A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP2110A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP2110A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP2110A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景中。以下是 ZVP2110A 的主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中的电流流动，实现设备的快速开启或关闭，降低待机功耗。 - 低压降电源：由于其较低的导通电阻（Rds(on)），适合用作低压降开关，替代传统二极管。 - 电池管理：在便携式设备中，用于电池充放电保护、过流保护和反向电压保护。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、风扇等小型电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入信号源。 - 数据信号切换：在通信设备中，用于切换不同的数据通道。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小，及时切断电路以保护后端负载。 - 短路保护：当电路发生短路时，迅速关断 MOSFET，避免损坏其他元件。 - 反向电压保护：防止因电源极性接反导致的设备损坏。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和外围设备接口控制。 - USB 充电保护：在 USB 接口处提供过流和短路保护功能。 - LED 驱动：用于控制 LED 灯的亮度和开关状态。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：利用其快速开关特性，取代机械继电器以提高可靠性。 总结 ZVP2110A 凭借其低导通电阻、高开关速度和出色的可靠性，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。其典型应用场景包括电源管理、电机驱动、信号切换和保护电路等。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3MOSFET P-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP2110A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP2110A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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