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SI7922DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7922DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7922DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7922DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 1.8A 1.3W 表面贴装 PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7922DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7922DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7922DN-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,主要应用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是其具体应用场景: 1. 电源管理 SI7922DN-T1-GE3广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、线性稳压器和电池充电电路。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗,提高效率。其快速开关特性使得它在高频开关电源中表现出色,适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理模块。 2. 负载切换 在需要频繁切换负载的应用中,如USB端口保护、智能插座和汽车电子系统中的负载控制,SI7922DN-T1-GE3可以提供可靠的开关功能。其低导通电阻和快速响应时间确保了在负载切换过程中最小化能量损失,并且能够承受较大的电流波动。 3. 电机驱动 该MOSFET阵列适用于小型电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)和伺服电机的驱动控制。由于其低导通电阻和高耐压特性,可以在电机启动、停止和调速过程中提供高效的电流控制,减少发热并延长电机寿命。 4. 通信设备 在通信设备中,如路由器、交换机和基站,SI7922DN-T1-GE3可用于信号路径的开关控制和电源管理。其低寄生电容和快速开关速度有助于减少信号干扰,确保数据传输的稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品 该器件还广泛应用于各种消费电子产品中,如智能家居设备、音频放大器和游戏控制器。它能够在这些设备中提供高效的电源管理和信号切换功能,确保设备运行稳定且节能。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器控制中,SI7922DN-T1-GE3可以用于信号隔离和电源控制,确保系统的可靠性和安全性。 总之,SI7922DN-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域中发挥着重要作用,特别是在需要高效开关操作和低功耗的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72031 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7922DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7922DN-T1-GE3SI7922DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 195 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 195 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 195 毫欧 @ 2.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7922DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7922DN-GE3 |