Datasheet下载- 型号： QS6J1TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS6J1TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6J1TR价格参考。ROHM SemiconductorQS6J1TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载QS6J1TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS6J1TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS6J1TR是一款N沟道MOSFET阵列，采用双晶体管封装（常见为SOT-563/USP-6L），具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：用于智能手机、平板电脑中的负载开关、电池供电切换或DC-DC转换电路，实现高效电能控制与节能。 2. LED背光驱动：在小型显示屏背光电路中作为开关元件，控制LED的开启与关闭，响应速度快且功耗低。 3. 信号切换与逻辑控制：适用于I²C、USB等信号路径的电平转换或开关应用，支持低电压操作，兼容数字逻辑电路。 4. 便携式消费电子产品：如蓝牙耳机、智能手表、TWS耳机等，用于电源通断控制或内部模块供电管理。 5. 小型电机驱动：在微型风扇、振动马达等低功率负载中作为驱动开关，具备良好的热稳定性和开关性能。 QS6J1TR因其小型化封装和优异的电气特性，特别适合高密度PCB布局和电池供电设备，有助于提升系统效率并延长续航时间。同时，其可靠的ESD保护和耐压能力增强了电路稳定性，广泛应用于现代轻薄化、低功耗电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6J1TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS6J1TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 310 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 310 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | QS6J1DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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