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  • 型号: SP8J1FU6TB
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SP8J1FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8J1FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8J1FU6TB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SP8J1FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8J1FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SP8J1FU6TB是由Rohm Semiconductor生产的晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景广泛,主要集中在需要高效开关和低功耗的电子设备中。以下是其典型应用场景:

1. 电源管理:SP8J1FU6TB适用于各种电源管理电路,如DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关。它能够提供高效的功率转换和稳定的电流控制。

2. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,该MOSFET阵列用于电池管理、充电电路和音频放大器等关键功能模块,确保设备运行稳定且节能。

3. 通信设备:在网络路由器、交换机和基站等通信设备中,SP8J1FU6TB可用于信号切换和功率分配,支持高速数据传输并降低能耗。

4. 汽车电子:在现代汽车电子系统中,例如车载信息娱乐系统、导航系统和传感器接口,这款MOSFET阵列可以实现快速响应和高可靠性操作。

5. 工业自动化:应用于可编程逻辑控制器(PLC)、电机驱动器和传感器接口等领域,提供精确的控制和保护功能。

6. 计算机与外设:在台式机、笔记本电脑及其外围设备(如打印机、扫描仪)中,该器件有助于优化电源使用效率,并增强系统的整体性能。

总之,SP8J1FU6TB凭借其卓越的电气特性和紧凑的设计,在众多需要高性能、小尺寸和低功耗解决方案的领域中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

SP8J1FU6TB

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 5A,10V

供应商器件封装

8-SOIC N

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A

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