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  • 型号: FDC6318P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6318P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6318P价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFDC6318P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDC6318P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6318P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6MOSFET SuperSOT-3

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6318PPowerTrench®

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产品型号

FDC6318P

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.96 W

Pd-功率耗散

960 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

69 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

69 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+ 8 V, - 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

+ 8 V, - 8 V

上升时间

14 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

455pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.5A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FDC6318PCT

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

700mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

36 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A

系列

FDC6318P

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDC6318P_NL

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