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FDS6912A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6912A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6912A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6912A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A 900mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载FDS6912A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6912A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6912A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。它具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电源管理和信号切换场景。以下是 FDS6912A 的主要应用场景: 1. 便携式设备电源管理 - FDS6912A 的低导通电阻特性使其非常适合用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)的负载开关和电源管理电路中。 - 它可以有效降低功耗并提高效率,同时减少发热。 2. 电池保护与充电电路 - 在电池管理系统中,FDS6912A 可用作电池充放电路径的开关,控制电流流向以保护电池免受过流、短路或过压的影响。 - 它的快速开关能力有助于实现高效的电池充电管理。 3. 电机驱动与控制 - FDS6912A 可用于小型直流电机驱动电路中,作为功率级开关元件,实现电机的启动、停止和速度调节。 - 其双通道设计允许同时控制两个独立的电机或负载。 4. 信号切换与隔离 - 在通信设备或工业控制系统中,FDS6912A 可用于信号切换和隔离,确保不同电路之间的电气隔离,同时保持信号完整性。 5. LED 驱动与背光控制 - 该器件适用于 LED 照明应用,例如手机屏幕背光或汽车照明系统。它可以精确控制 LED 的亮度,并支持 PWM 调光功能。 6. DC-DC 转换器 - FDS6912A 可用于同步整流 DC-DC 转换器中,作为高频开关元件,提高转换效率并减小电路尺寸。 7. 消费电子与家电 - 在家用电器(如风扇、吸尘器、打印机等)中,FDS6912A 可用于功率控制和负载切换,提供可靠的性能和较长的使用寿命。 总结 FDS6912A 凭借其高性能参数和紧凑封装(如 SOIC-8),广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。它的低导通电阻和双通道设计使其成为需要高效功率控制和信号切换的应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOICMOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6912APowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS6912A |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDS6912ATR |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A |
系列 | FDS6912 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |
零件号别名 | FDS6912A_NL |