Datasheet下载- 型号： SI9936DY,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9936DY,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9936DY,518价格参考。NXP SemiconductorsSI9936DY,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9936DY,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9936DY,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI9936DY,518 是由 NXP USA Inc. 生产的一款MOSFET阵列产品，属于场效应晶体管（FET），采用双N沟道设计，常用于需要高效开关控制的低电压、中等电流应用场景。该器件采用TSSOP-8封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的高密度电路设计。 主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理与负载开关控制；电池供电系统中的电源通断与节能管理；DC-DC转换器中的同步整流或开关元件；以及各类消费类电子产品中的信号切换与驱动电路。由于其低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，SI9936DY,518在降低功耗、提高能效方面表现优异，适合对能效要求较高的应用。 此外，该器件也广泛应用于工业控制模块、通信设备接口电路和小型电机驱动中，作为电平转换或逻辑驱动元件。其稳定性和可靠性使其在环境条件多变的工业场景中仍能保持良好性能。总体而言，SI9936DY,518是一款适用于多种低功率开关应用的高性能MOSFET阵列器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9936DY,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934056385518 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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