【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IPI029N06NAKSA1】封装/厂家_IPI029N06NAKSA1中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPI029N06NAKSA1

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IPI029N06NAKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI029N06NAKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI029N06NAKSA1价格参考￥4.64-￥4.94。InfineonIPI029N06NAKSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3。您可以下载IPI029N06NAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI029N06NAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies生产的IPI029N06NAKSA1是一款N通道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其应用场景广泛，适用于多种电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IPI029N06NAKSA1的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。
   - 它能够高效地控制功率传输，减少能量损耗。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，这款MOSFET可以用作功率级开关，实现对电机速度和方向的精确控制。
   - 其低导通电阻有助于降低发热，提高系统的整体效率。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 用于锂离子电池或其他类型电池的充放电保护电路中，作为电子开关控制电池的连接状态。
   - 提供过流保护和短路保护功能，确保电池的安全运行。

 4. 负载切换
   - 在消费类电子产品（如智能手机、平板电脑等）中，该MOSFET可用于负载切换，动态管理不同负载之间的电源分配。
   - 其紧凑的封装形式适合小型化设计需求。

 5. 逆变器
   - 用于小型光伏逆变器或家用电器逆变器中，将直流电转换为交流电，支持可再生能源发电系统的应用。
   - 高效的开关性能有助于提高能量转换效率。

 6. LED驱动
   - 在LED照明系统中，用作恒流源控制器的一部分，调节通过LED的电流以保持亮度稳定。
   - 支持高亮度LED阵列的驱动需求。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，例如车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）或雨刷控制系统中，该MOSFET可以提供可靠的功率开关功能。
   - 满足车载环境下的高温和振动要求。

 总结
IPI029N06NAKSA1凭借其出色的电气特性和可靠性，适用于需要高效功率转换和控制的各种场景。无论是工业设备、消费电子产品还是汽车电子，它都能提供稳定的性能表现，同时支持节能和小型化设计目标。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1
产品型号	IPI029N06NAKSA1
Pd-PowerDissipation	136 W
Pd-功率耗散	136 W
Qg-GateCharge	56 nC
Qg-栅极电荷	56 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	15 ns
下降时间	8 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	30 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	160 S
系列	IPI029N06
配置	Single
零件号别名	SP000962134