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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD23N06-31-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD23N06-31-GE3价格参考¥2.48-¥2.96。VishaySUD23N06-31-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 21.4A(Tc) 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载SUD23N06-31-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD23N06-31-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD23N06-31-GE3是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类中低电压功率转换场景。该器件具有60V的漏源击穿电压和23A的连续漏极电流能力,导通电阻低(典型值约28mΩ),具备优异的开关性能和导通效率,适合高效率、高密度电源设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流电源模块中,提升转换效率,降低功耗; 2. 电机驱动:适用于小型直流电机、步进电机或无刷电机控制电路,提供快速开关响应和低损耗驱动; 3. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、移动电源、电动工具等便携式电子产品中,用于负载开关或电源切换; 4. 工业控制与自动化:在PLC模块、传感器电源、继电器替代电路中实现高效固态开关功能; 5. 消费类电子:如电视、机顶盒、LED照明驱动电源中作为主开关元件使用。 SUD23N06-31-GE3采用TO-263(D²PAK)封装,便于散热,适合表面贴装,适用于自动化生产。其高可靠性与稳定性也使其在汽车电子辅助系统(如车载充电、车身控制模块)中得到应用(需符合相关车规要求)。总体而言,该MOSFET适用于需要高效、紧凑和可靠功率开关的多种中功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD23N06-31-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD23N06-31-GE3SUD23N06-31-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.7 W |
| Pd-功率耗散 | 5.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | SUD23N06-31-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 31.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21.4A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |