Datasheet下载- 型号： DMN1033UCB4-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1033UCB4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1033UCB4-7价格参考。Diodes Inc.DMN1033UCB4-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN1033UCB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN1033UCB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN1033UCB4-7 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，采用微型 SOT26 封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率。该器件适用于空间受限且对能效要求较高的便携式电子设备。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制不同模块的供电以降低功耗；在电池供电系统中作为理想二极管或反向电流保护电路，提升系统可靠性；广泛用于DC-DC转换器和电压调节模块，提高电源转换效率；还可应用于LED驱动电路，实现高效的背光或照明控制。 此外，其快速开关特性适合电机驱动和小型马达控制，常见于消费类无人机、玩具和微型机器人等设备。由于具备良好的热稳定性和静电防护能力，DMN1033UCB4-7 也适用于接口电路中的信号切换与电平转换，如I²C总线缓冲或USB电源开关，防止过流或短路损坏主控芯片。 总体而言，该MOSFET阵列凭借小尺寸、低功耗和高可靠性，广泛服务于消费电子、工业控制和便携式设备中的高效开关与电源管理需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN1033UCB4-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | U-WLB1818-4 |
| 其它名称 | DMN1033UCB4-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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