【未分类_SI1563DH-T1-GE3】封装/厂家_SI1563DH-T1-GE3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SI1563DH-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1563DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1563DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1563DH-T1-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SI1563DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1563DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1563DH-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器：SI1563DH-T1-GE3 可用于开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流电路，提供高效的功率转换。
   - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，该器件可用作负载开关，控制不同模块的供电状态。
   - 电池管理：适用于锂电池保护电路，控制电池充放电路径，确保安全运行。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制：用于驱动低功率直流电机或步进电机，实现精确的速度和方向控制。
   - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机驱动，支持正转和反转功能。

 3. 信号切换
   - 多路复用器/解复用器：在需要高速信号切换的应用中，该器件可作为模拟开关使用。
   - 音频信号切换：用于音频设备中的信号路径切换，确保低失真和高保真度。

 4. 消费类电子产品
   - USB 端口保护：在 USB 接口设计中，该器件可用于过流保护和热插拔保护。
   - 笔记本电脑和智能设备：用于内部电源分配和管理，提高能效并减少热量产生。

 5. 工业应用
   - 传感器接口：在工业自动化系统中，用于控制传感器的电源供应或信号切换。
   - 继电器替代：由于其快速开关特性和低导通电阻，可以替代传统机械继电器，降低功耗和噪音。

 6. 通信设备
   - 射频前端切换：在无线通信设备中，用于天线切换或收发模式切换。
   - 基站电源管理：为基站中的低功耗模块提供高效的电源控制。

 特性优势
- 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。
- 高开关速度：适合高频应用，降低电磁干扰 (EMI)。
- 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
- 优异的热性能：能够承受较高的结温，保证长期可靠性。

总之，SI1563DH-T1-GE3 凭借其高性能和可靠性，适用于多种电力电子和信号处理场景，特别是在对效率和空间要求较高的应用中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI1563DH-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	280 毫欧 @ 1.13A，4.5V
供应商器件封装	SC-70-6 （SOT-363）
其它名称	SI1563DH-T1-GE3CT
功率-最大值	570mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.13A，880mA