ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFU668F,115
Datasheet下载- 型号： BFU668F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU668F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU668F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU668F,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor Surface Mount SOT-343F。您可以下载BFU668F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU668F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU668F,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGe:C）技术器件，专为高频应用设计。该器件广泛应用于无线通信系统中的射频放大电路，尤其适用于工作频率高达几GHz的场合。 其主要应用场景包括：蜂窝通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、中等功率放大器、混频器以及射频前端模块；支持 GSM、UMTS、LTE 及 5G 等移动通信标准的基站和小型蜂窝设备；此外也适用于点对点微波通信、无线回传系统和工业射频设备。 BFU668F,115 具有优异的噪声性能、高增益和良好的线性度，能够在高频下保持稳定工作，适合对信号保真度要求较高的接收和发射链路。其采用 SOT343 小型化封装，便于在高密度印刷电路板上布局，适用于空间受限的射频模块设计。 由于具备良好的温度稳定性和可靠性，该器件也常用于室外单元和严苛环境下的通信设备。总体而言，BFU668F,115 是现代高性能射频系统中关键的放大元件，适用于需要高频率、低噪声和高线性度的通信应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 未定义的类别 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F |
| 产品分类 | 其它 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU668F,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934065992115 |
| 标准包装 | 3,000 |
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