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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3932DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3932DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3932DV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3932DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3932DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3932DV-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件采用小型封装,具备低导通电阻、高频率响应和良好热稳定性等特点,适用于多种电源管理和负载切换应用场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件,实现精确控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板和便携式仪器,用于延长电池寿命和提升系统效率。 4. 工业自动化:用于PLC模块、传感器开关和继电器替代方案,提升系统可靠性和响应速度。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制和电动助力转向系统中的功率开关。 其双MOSFET结构可减少外围元件数量,简化设计,适合空间受限且对性能有要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOPMOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3932DV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3932DV-T1-GE3SI3932DV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
Qg-GateCharge | 3.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 3.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3932DV-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 10 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI3932DV-GE3 |