ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ZXMHC3F381N8TC
Datasheet下载- 型号： ZXMHC3F381N8TC
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC3F381N8TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC3F381N8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMHC3F381N8TC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） Mosfet 阵列 30V 3.98A，3.36A 870mW 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMHC3F381N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMHC3F381N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMHC3F381N8TC是Diodes Incorporated推出的一款MOSFET阵列产品，属于增强型P沟道功率MOS场效应晶体管，采用双通道配置，封装为节省空间的8引脚TSSOP。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于需要高效、紧凑设计的电源管理应用。 其典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关和电源切换控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。由于其低静态电流和快速开关特性，特别适合电池供电系统以延长续航时间。此外，该器件也广泛用于DC-DC转换器、电压反向保护电路以及电机驱动模块中，作为同步整流或电平转换元件，提升整体能效。 ZXMHC3F381N8TC还适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备中的信号切换与功率管理功能。其集成双MOSFET结构有助于减少PCB占用面积，简化电路设计，提高系统可靠性。在需要高密度布局和节能特性的现代电子系统中，该型号表现出良好的适应性和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICMOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.98 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.98 A, 4.13 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMHC3F381N8TC |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.35 W |
| Pd-功率耗散 | 1.35 W |
| Qg-GateCharge | 9 nC, 12.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC, 12.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.06 Ohms, 0.08 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 3.3 ns, 3 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns, 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMHC3F381N8DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 11.5 ns, 30 ns |
| 功率-最大值 | 870mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11.8 S, 14 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.98A，3.36A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
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