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  • 型号: ZXMHC3F381N8TC
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC3F381N8TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC3F381N8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMHC3F381N8TC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) Mosfet 阵列 30V 3.98A,3.36A 870mW 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMHC3F381N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMHC3F381N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICMOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.98 A

Id-连续漏极电流

4.98 A, 4.13 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC-

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产品型号

ZXMHC3F381N8TC

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.35 W

Pd-功率耗散

1.35 W

Qg-GateCharge

9 nC, 12.7 nC

Qg-栅极电荷

9 nC, 12.7 nC

RdsOn-漏源导通电阻

0.06 Ohms, 0.08 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

3.3 ns, 3 ns

下降时间

6.3 ns, 21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

430pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

33 毫欧 @ 5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

ZXMHC3F381N8DIDKR

典型关闭延迟时间

11.5 ns, 30 ns

功率-最大值

870mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

11.8 S, 14 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.98A,3.36A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

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