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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5483NLWFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5483NLWFT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5483NLWFT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMFD5483NLWFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMFD5483NLWFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFD5483NLWFT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 MOSFET 阵列器件,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该型号具有以下典型应用场景: 1. 电源管理 - NVMFD5483NLWFT1G 可用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 适用于负载开关应用,控制电路的供电状态以节省能源。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中,该器件可用作 H 桥或半桥驱动的一部分,实现电机的正转、反转和速度调节。 - 其快速开关性能有助于降低电磁干扰(EMI),并支持高效运行。 3. 电池保护与管理 - 用于锂离子电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反向电流损坏电池。 - 提供低导通压降,减少电池系统的功耗。 4. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器设计中,该 MOSFET 阵列可用于信号路径的切换,确保信号完整性。 - 适合音频、视频或其他模拟信号的切换应用。 5. 消费电子设备 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理单元(PMU)。 - 支持 USB 端口保护、数据线切换等功能。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,作为固态继电器使用,实现输入输出信号的隔离和切换。 - 适用于 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口等场景。 7. 通信设备 - 用于基站、路由器等通信设备中的电源分配网络(PDN),提供高效的功率传输。 - 支持热插拔功能,保护系统免受瞬态电压的影响。 总结 NVMFD5483NLWFT1G 的主要优势在于其紧凑的封装形式、高集成度和出色的电气性能,使其非常适合需要高效率、低功耗和小尺寸解决方案的应用场合。具体应用需根据实际电路需求进行设计和优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5483NLWFT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 668pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.4A |