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  • 型号: DMN32D2LV-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMN32D2LV-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN32D2LV-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN32D2LV-7价格参考。Diodes Inc.DMN32D2LV-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 400mA 400mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMN32D2LV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN32D2LV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMN32D2LV-7是一款MOSFET阵列器件,常用于需要高效、低电压操作的电子电路中。该器件内置两个独立的N沟道MOSFET,适用于多种电源管理和开关控制场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,实现高效能和低功耗设计。

2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制,提供可靠的开关性能。

3. LED照明:作为LED驱动电路中的开关元件,支持亮度调节和节能控制。

4. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中,支持低电压运行和高效能管理。

5. 工业自动化:用于PLC、传感器和执行器的接口电路,实现快速开关和可靠控制。

6. 通信设备:在路由器、交换机等网络设备中,用于电源控制和信号切换。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中低功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT-563MOSFET Dual N-Channel

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

400 mA

Id-连续漏极电流

400 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN32D2LV-7-

数据手册

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产品型号

DMN32D2LV-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

400 mW

Pd-功率耗散

400 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1200 mOhms at 4 V

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

39pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 100mA,4V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

DMN32D2LV-7DICT

功率-最大值

400mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA

系列

DMN32D2

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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