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DMN32D2LV-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN32D2LV-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN32D2LV-7价格参考。Diodes Inc.DMN32D2LV-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 400mA 400mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMN32D2LV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN32D2LV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN32D2LV-7是一款MOSFET阵列器件,常用于需要高效、低电压操作的电子电路中。该器件内置两个独立的N沟道MOSFET,适用于多种电源管理和开关控制场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,实现高效能和低功耗设计。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制,提供可靠的开关性能。 3. LED照明:作为LED驱动电路中的开关元件,支持亮度调节和节能控制。 4. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中,支持低电压运行和高效能管理。 5. 工业自动化:用于PLC、传感器和执行器的接口电路,实现快速开关和可靠控制。 6. 通信设备:在路由器、交换机等网络设备中,用于电源控制和信号切换。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT-563MOSFET Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN32D2LV-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN32D2LV-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 400 mW |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1200 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 39pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 100mA,4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMN32D2LV-7DICT |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA |
| 系列 | DMN32D2 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |