Datasheet下载- 型号： SI4618DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4618DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4618DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4618DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4618DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4618DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4618DY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的负载切换，实现高效电源管理和低功耗。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或功率开关，用于提高 DC-DC 转换效率，降低能量损耗。 - 电池保护：在电池管理系统中，用于防止过流、短路或反向电流。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在多媒体设备中，用于切换不同的音频输入/输出路径，确保信号完整性。 - 数据线路保护：在 USB、HDMI 或其他高速接口中，用于信号切换和静电放电（ESD）保护。 3. 电机控制 - 小型电机驱动：适用于消费类电子产品中的小功率电机（如风扇、振动马达），提供高效的开关控制。 - H 桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转操作。 4. 热插拔保护 - 在服务器、存储设备和其他需要热插拔功能的系统中，SI4618DY-T1-GE3 可以限制浪涌电流，保护电路免受损坏。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器、显示屏背光控制等场景。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等低功率应用。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小型封装（TSSOP-8）：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 - 高静电防护能力：增强可靠性，适用于严苛环境。 综上，SI4618DY-T1-GE3 凭借其高性能和可靠性，成为消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域中理想的选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI4618DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1535pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.98W， 4.16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A， 15.2A |
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