ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI9926BDY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI9926BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9926BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9926BDY-T1-E3价格参考￥3.36-￥8.98。VishaySI9926BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.2A 1.14W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI9926BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9926BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI9926BDY-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制设备的电源通断，实现低功耗待机模式。 - DC-DC转换器：作为同步整流器的一部分，提高效率并降低功率损耗。 - 电池保护电路：防止过充、过放或短路，确保电池安全。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在多输入音频系统中切换不同的信号源。 - 数据信号路由：用于USB、I2C或其他低电压信号的切换和隔离。 3. 电机驱动与控制 - 小型直流电机驱动：通过PWM信号控制电机速度和方向。 - H桥电路：构建双极性电机驱动器，支持正转和反转功能。 4. 热插拔保护 - 在服务器、存储设备等应用中，提供热插拔保护功能，防止插入或拔出时的电流冲击。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于内部电路的电源管理和信号切换。 - 可穿戴设备：实现高效电源管理以延长电池寿命。 6. 工业与汽车应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中的信号切换和隔离。 - 车载电子系统：如信息娱乐系统、导航设备和车身控制模块中的电源管理。 特点总结 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小封装尺寸：适合空间受限的设计。 - 高可靠性：适用于严苛环境下的长期运行。 这款器件凭借其高性能和紧凑设计，成为许多现代电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9926BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9926BDY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A |
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