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Datasheet下载- 型号： IRF5803D2TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF5803D2TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5803D2TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5803D2TRPBF价格参考。International RectifierIRF5803D2TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF5803D2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5803D2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF5803D2TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电源管理系统中。 典型应用场景包括：便携式电子设备的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器，用于提升电池使用效率；在负载开关和电源开关电路中，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高系统能效；适用于热插拔控制器和过压保护电路，提供快速响应和可靠保护；还常见于电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机控制，尤其在空间受限但需高功率密度的设计中表现优异。 此外，IRF5803D2TRPBF 采用TSDS-6封装，体积小巧，适合高密度贴装的印刷电路板，广泛用于消费类电子产品、工业控制模块及通信设备中。其符合RoHS标准，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内稳定工作，是现代高效、紧凑型电源设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5803D2TRPBFFETKY™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5803D2TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 112 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF5803D2TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5803d2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5803d2.spi |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
