Datasheet下载- 型号： IXTA50N25T
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA50N25T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA50N25T价格参考。IXYSIXTA50N25T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA50N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA50N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA50N25T是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其应用场景主要集中在电力电子领域，适用于中高电压和中等功率的场合。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IXTA50N25T的耐压为250V，适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，在DC-DC转换器、AC-DC适配器或逆变器中作为主开关器件。 - 其低导通电阻特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 在中小型电机驱动系统中，该MOSFET可以用作功率级开关，控制电机的启停、速度和方向。 - 常见于家用电器（如风扇、泵）、工业自动化设备以及轻型电动工具中。 3. 太阳能逆变器 - 该型号可用于小型太阳能逆变器的功率转换电路中，实现直流到交流的转换。 - 其高耐压能力和快速开关性能能够满足逆变器对可靠性和效率的要求。 4. 负载切换与保护 - IXTA50N25T可以用于负载切换电路，例如在汽车电子、通信设备或消费电子产品中，控制负载的通断。 - 同时，它也可用作过流保护或短路保护器件，确保系统安全运行。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 - 在需要精确控制输出电压或电流的场合，例如LED驱动、加热元件控制等，IXTA50N25T可以用作PWM开关。 - 它的快速响应能力能够实现高效的脉宽调制。 6. 电池管理系统（BMS） - 在电池充放电管理中，该MOSFET可以用作充电路径控制或放电保护开关。 - 特别适用于电动车、储能系统或其他需要高可靠性电池管理的场景。 总结 IXTA50N25T凭借其250V的高耐压、低导通电阻以及良好的开关性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、负载切换、PWM控制和电池管理系统等领域。这些应用场景充分利用了其高效、可靠和耐用的特点，适合中高电压和中等功率需求的电力电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA50N25T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA50N25T |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Qg-GateCharge | 78 nC |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | IXTA50N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
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