ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPD80R2K8CEBTMA1
Datasheet下载- 型号： IPD80R2K8CEBTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD80R2K8CEBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD80R2K8CEBTMA1价格参考。InfineonIPD80R2K8CEBTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3。您可以下载IPD80R2K8CEBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD80R2K8CEBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | * |
| FET类型 | * |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX80R2K8CE_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304340155f3d01402f5e5f1f274f |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IPD80R2K8CEBTMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | * |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | * |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | IPD80R2K8CEBTMA1DKR |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | * |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | * |
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