Datasheet下载- 型号： FQB19N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB19N20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB19N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB19N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB19N20TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于需要高效能和低导通损耗的场合。 2. 电机控制：用于电动工具、工业自动化设备或电动车中的电机驱动电路，作为高速开关元件使用。 3. 负载开关与继电器替代：在需要频繁开关负载的应用中，如LED照明调光、加热元件控制等，可替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 4. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于将直流电转换为交流电的过程。 5. 电池管理系统（BMS）：在锂电池充放电保护电路中作为开关器件，实现对电池状态的精确控制。 该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较强的电流承载能力，适合高频开关操作，广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB19N20TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB19N20TM |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 9.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | FQB19N20TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 14.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19.4A （Tc） |
| 系列 | FQB19N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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