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FDMC7660DC产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC7660DC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC7660DC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC7660DC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),78W(Tc) Dual Cool ™ 33。您可以下载FDMC7660DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC7660DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC7660DC 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。其主要特点包括低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适合用于需要高效能和紧凑设计的电路中。 该器件常用于以下应用场景: 1. 电源适配器与充电器:在AC-DC转换器中作为开关元件,提高能量转换效率。 2. DC-DC转换器:在笔记本电脑、服务器及通信设备的电源模块中实现电压调节。 3. 负载开关与电机驱动:用于控制大电流负载的通断,如小型电机或LED照明系统。 4. 电池管理系统:在便携式设备中用于电池充放电控制与保护电路。 5. 工业自动化设备:作为高频开关器件使用,提升系统响应速度与稳定性。 由于其封装小巧、性能稳定,FDMC7660DC特别适用于对空间和效率有较高要求的电子产品设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC7660DCDual Cool™, PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC7660DC |
Pd-PowerDissipation | 78 W |
Pd-功率耗散 | 78 W |
Qg-GateCharge | 24 nC |
Qg-栅极电荷 | 24 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5170pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 毫欧 @ 22A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power33 |
其它名称 | FDMC7660DCCT |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 32.130 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-MLP,Power33 |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 147 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta), 40A (Tc) |
系列 | FDMC7660 |
配置 | Dual |