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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RZM002P02T2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RZM002P02T2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZM002P02T2L价格参考￥0.59-￥0.68。ROHM SemiconductorRZM002P02T2L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RZM002P02T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RZM002P02T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZM002P02T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RZM002P02T2L |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Qg-GateCharge | 1.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | RZM002P02T2L-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
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