【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SI7119DN-T1-E3】封装/厂家_SI7119DN-T1-E3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7119DN-T1-E3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SI7119DN-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI7119DN-T1-E3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7119DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7119DN-T1-E3价格参考￥3.08-￥5.11。VishaySI7119DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7119DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7119DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.2 A
Id-连续漏极电流	1.2 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7119DN-T1-E3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI7119DN-T1-E3SI7119DN-T1-E3
Pd-PowerDissipation	3.7 W
Pd-功率耗散	3.7 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.05 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1.05 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	- 200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	16 ns, 11 ns
下降时间	16 ns, 12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	666pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.05 欧姆 @ 1A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8
其它名称	SI7119DN-T1-E3DKR
典型关闭延迟时间	25 ns, 27 ns
功率-最大值	52W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8
封装/箱体	PowerPAK 1212-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 50 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.8A （Tc）
系列	SI71xxDx
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SI7119DN-E3