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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8327L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8327L价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFDMC8327L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC8327L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC8327L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8327L是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景中。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关与负载管理;电池管理系统(BMS)中的充放电控制;DC-DC转换器,特别是在同步整流电路中用于提升转换效率;以及各类高密度电源模块和热插拔电路设计。其低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on))特性有助于减少开关损耗和导通损耗,提高系统能效。 FDMC8327L采用先进的TrenchFET®技术,具备优异的热性能和电流处理能力,封装形式为紧凑型PowerLFET™ 3.3mm x 3.3mm,适合空间受限的应用。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于工业控制、消费电子和通信设备中的中低功率开关应用。 综上,FDMC8327L是一款高性能、高可靠性的MOSFET,特别适用于追求小型化与高效率的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 12A MLP 3.3X3.3MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8327LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC8327L |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 9.7 nC, 18.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.7 nC, 18.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.7 毫欧 @ 12A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 其它名称 | FDMC8327LDKR |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 180 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3x3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 14A (Tc) |
| 系列 | FDMC8327L |