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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF5N30由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF5N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF5N30封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF5N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF5N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF5N30是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其具备低导通电阻和高效率特性,有助于提高能源利用率。 2. 电机控制:在直流电机驱动或步进电机控制电路中,作为高效开关元件使用,支持快速切换并减少功率损耗。 3. 照明系统:用于LED照明的驱动电路,尤其在需要调光或恒流控制的应用中表现良好。 4. 消费电子设备:如电视、音响、充电器等产品中的电源部分,提供稳定可靠的功率控制。 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代方案及自动化控制系统中,实现负载的高效开关控制。 该器件具有较高的耐用性和热稳定性,适合多种中高功率场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 300V 3.9A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF5N30 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 900 毫欧 @ 1.95A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A (Tc) |