Datasheet下载- 型号： IRF9Z24NSTRL
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NSTRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NSTRL价格参考。International RectifierIRF9Z24NSTRL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24NSTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NSTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体制造商，其产品广泛应用于汽车、工业、能源和通信等领域。 型号 IRF9Z24NSTRL 是一款由英飞凌生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的 FET 类别。该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关，因其具备低导通电阻和高效率特性，适合用于电池供电设备中的电源控制。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，作为功率开关使用，常见于电动工具、风扇和家电中。 3. 汽车电子：用于车载系统中的电源控制模块、车身控制模块（BCM）和照明系统，具备一定的耐压和温度稳定性，适应汽车环境。 4. 工业自动化：作为工业控制电路中的开关元件，用于继电器驱动、传感器供电控制等。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、充电器、电源适配器等设备中的功率开关和负载管理。 该 MOSFET 采用表面贴装封装（如 DPAK），便于自动化生产和良好的热管理，适合中高功率应用。其主要优势包括高可靠性、低导通电阻和良好的热稳定性，使其在多种电子系统中具有广泛适用性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9Z24NSTRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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