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Datasheet下载- 型号： SI7108DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7108DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7108DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7108DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7108DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7108DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7108DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7108DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET（场效应晶体管）类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热性能，适用于多种电源管理与开关应用。 SI7108DN-T1-GE3 常用于便携式电子设备中的负载开关、电源开关和电机驱动电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理系统。其低电压控制特性也使其非常适合用于同步整流电路，在 DC-DC 转换器中提升转换效率。此外，该 MOSFET 可广泛应用于电源适配器、LED 驱动电路以及各类小型电源模块中，实现快速开关和低功耗运行。 由于其封装小巧（通常为 SO-8 或类似小尺寸封装），SI7108DN-T1-GE3 特别适合空间受限的高密度电路板设计。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，具备良好的可靠性和稳定性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种领域。总之，SI7108DN-T1-GE3 是一款高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案，广泛用于需要低导通损耗和高集成度的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8MOSFET 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73216 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7108DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7108DN-T1-GE3SI7108DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7108DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7108DN-GE3 |
