Datasheet下载- 型号： NVD5490NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5490NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5490NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5490NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5490NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5490NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5490NLT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于需要高效能和高可靠性的系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器及稳压电路中，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，提供快速开关响应。 3. 负载开关：作为电子开关控制高功率负载，如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 汽车电子：由于其具备良好的热稳定性和过载保护能力，适合用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）等。 5. 工业控制：用于PLC模块、继电器替代方案及自动化设备中的功率控制部分。 该MOSFET采用表面贴装封装，便于PCB布局和自动化生产，适合中高功率密度设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A DPAKMOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD5490NLT4G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVD5490NLT4G |
| Pd-PowerDissipation | 49 W |
| Pd-功率耗散 | 49 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 365pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 9A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.4W |
| 功率耗散 | 49 W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 66 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta）， 17A （Tc） |
| 系列 | NVD5490NL |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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