ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD23382F4
Datasheet下载- 型号： CSD23382F4
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23382F4由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23382F4价格参考。Texas InstrumentsCSD23382F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD23382F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD23382F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD23382F4是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型、高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理场景。该器件采用1.0mm×1.0mm DFN封装，具有极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统能效。 典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、DC-DC转换器（尤其是同步降压转换器中的高边或低边开关）、LED驱动电路以及热插拔控制器等。由于其优异的开关性能和快速响应能力，CSD23382F4在高频开关电源中表现出色，有助于减小整体电路尺寸并提升功率密度。 此外，该MOSFET具备良好的热性能和可靠性，适合在空间受限且对功耗敏感的应用中使用。其低栅极电荷和低输入电容也使其易于驱动，能够与多种控制器和驱动IC良好匹配，适用于现代高效、轻薄化电子产品中的电源管理设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD23382F4 |
| rohs | 不受无铅要求限制 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | FemtoFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.35nC @ 6V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 76 毫欧 @ 500mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23382F4 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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