ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MMBF4416A
Datasheet下载- 型号： MMBF4416A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4416A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4416A价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF4416A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET 15V 5mA 400MHz SOT-23-3。您可以下载MMBF4416A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4416A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的 MMBF4416A 是一款N沟道增强型射频MOSFET，属于表面贴装的小信号射频晶体管。该器件采用SOT-23封装，具有低噪声、高增益和良好的高频性能，适用于工作频率较高的射频应用。 MMBF4416A 主要应用于射频放大器电路中，例如在无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、接收机输入级等场景。它可在VHF、UHF和微波频段下稳定工作，适合用于移动通信设备、无线局域网（Wi-Fi）、蓝牙模块、物联网（IoT）设备、射频识别（RFID）系统以及便携式无线终端等产品。 由于其小型化封装和优良的射频特性，MMBF4416A 特别适用于空间受限且对功耗和噪声敏感的电池供电设备。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合工业级和消费类电子应用。 总之，MMBF4416A 凭借其优异的射频性能和紧凑设计，广泛用于各类高频、低功率无线通信系统中，是射频小信号放大场景中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF4416A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF4416A |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4416ADKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 噪声系数 | 4dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0045 S to 0.0075 S |
| 电压-测试 | 15V |
| 电压-额定 | 35V |
| 电流-测试 | 5mA |
| 系列 | MMBF4416 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源截止电压 | - 6 V |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 15mA |
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