【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_NSVMMUN2133LT1G】封装/厂家_NSVMMUN2133LT1G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > NSVMMUN2133LT1G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NSVMMUN2133LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2133LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2133LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2133LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载NSVMMUN2133LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2133LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NSVMMUN2133LT1G是一款预偏置的单双极晶体管（BJT），广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景：

1. 信号放大：该晶体管可用于音频、射频和其他信号放大的应用中，能够提供稳定的增益和低噪声性能。它适用于需要高保真度音频放大的设备，如耳机放大器、音响系统等。

2. 开关电路：在数字电路和电源管理中，NSVMMUN2133LT1G可以用作开关元件，控制电流的通断。它适合用于继电器驱动、LED驱动、电机控制等场合，确保高效且可靠的开关操作。

3. 传感器接口：在传感器信号调理电路中，该晶体管可以用于放大微弱的传感器输出信号，使其能够被后续的处理电路识别和处理。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以提高信号的灵敏度和准确性。

4. 通信设备：在无线通信模块中，NSVMMUN2133LT1G可以用于射频前端的功率放大和调制解调电路，确保信号的稳定传输和接收。它还适用于蓝牙、Wi-Fi等短距离无线通信设备。

5. 工业自动化：在工业控制系统中，该晶体管可以用于驱动执行器、电磁阀等设备，实现对生产过程的精确控制。它还可以用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输入输出模块，增强系统的响应速度和稳定性。

6. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中，NSVMMUN2133LT1G可以用于音频放大、电池管理、触摸屏驱动等功能模块，提升产品的性能和用户体验。

7. 汽车电子：在汽车电子系统中，该晶体管可以用于车灯控制、雨刷电机驱动、车载娱乐系统等应用，确保车辆电气系统的可靠运行。它还适用于电动汽车的电池管理系统（BMS），提供高效的电源管理和保护功能。

总之，NSVMMUN2133LT1G凭借其预偏置特性、高可靠性和广泛应用范围，成为众多电子设计中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PNP 50V SOT23
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NSVMMUN2133LT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	*
功率-最大值	246mW
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
晶体管类型	PNP - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	-