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STD5NM50T4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD5NM50T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD5NM50T4价格参考¥4.07-¥5.08。STMicroelectronicsSTD5NM50T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 500V 7.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD5NM50T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD5NM50T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STD5NM50T4是一款N沟道增强型高压MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件耐压高达500V,连续漏极电流为4.2A(@TC=25℃),具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于高效率、高电压的电源转换场景。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中,如适配器、充电器、工业电源模块等,因其高耐压和低损耗特性,有助于提升能效并减小散热设计复杂度。 2. 照明驱动电路:适用于LED照明系统中的恒流驱动或高频调光控制,尤其在高压LED阵列或户外照明应用中表现稳定。 3. 电机控制:可用于中小功率直流电机或步进电机的驱动电路,常见于家电(如风扇、洗衣机)、工业自动化设备中。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器等设备中作为关键开关元件,实现直流到交流的高效转换。 5. 感应加热与电子镇流器:适用于电磁炉、电热水壶等家用电器中的高频功率变换环节。 STD5NM50T4采用TO-252(DPAK)贴片封装,便于自动化生产并具备良好热性能,适合紧凑型高功率密度设计。其内置快速体二极管,可有效应对反向电流冲击,提高系统可靠性。整体而言,该MOSFET适用于需要高电压隔离、高效率和稳定可靠运行的工业、消费类及绿色能源电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAKMOSFET N-Ch 500 Volt 7.5 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD5NM50T4MDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD5NM50T4 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 415pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 2.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-3162-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64592?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Tc) |
| 系列 | STD5NM50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |