Datasheet下载- 型号： IRFRC20TRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFRC20TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFRC20TRPBF价格参考。VishayIRFRC20TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFRC20TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFRC20TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFRC20TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM），提供高效的电力转换和稳定的输出电压。 2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够快速切换并控制电机的启停、速度和方向。 3. 负载切换：在汽车电子和工业控制中用作负载开关，实现对不同负载的安全切换和保护。 4. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路，监控电流和电压，防止过充、过放及短路。 5. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中作为信号放大或功率控制元件。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、平板充电器等便携式设备中的功率转换部分。 7. 逆变器与太阳能系统：参与构建微型逆变器或光伏最大功率点跟踪（MPPT）控制器，提升能源利用效率。 该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），适合高频工作环境，同时具备良好的热性能和耐用性，确保在各种复杂条件下稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAKMOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFRC20TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFRC20TRPBFIRFRC20TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFRC20PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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