ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT5551-7-F
Datasheet下载- 型号： MMBT5551-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5551-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5551-7-F价格参考￥0.15-￥0.29。Diodes Inc.MMBT5551-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 300MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBT5551-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5551-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5551-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），具有高电压放大能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）可达 300V，适用于需要高电压操作的信号放大和开关应用。 该器件常用于以下应用场景： 1. 高压信号放大：在模拟电路中作为前置放大器或中间增益级，适用于高电压小信号处理，如传感器信号调理、音频前置放大等。 2. 开关电路：在电源管理、DC-DC 转换器、继电器驱动等电路中作为高速开关元件，控制负载通断。 3. 显示驱动：用于 LED 显示屏或段码式 LCD 的行/列驱动电路，提供足够的电流增益以驱动多个发光单元。 4. 消费类电子产品：广泛应用于电视、机顶盒、家用电器中的小功率控制电路。 5. 工业控制：用于PLC模块、光电耦合器驱动、电机控制中的信号隔离与放大环节。 MMBT5551-7-F 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，便于自动化生产。其高增益、高耐压特性使其在空间受限且需稳定性能的应用中表现优异。此外，该型号符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造。 综上，MMBT5551-7-F 是一款高性能通用 NPN 晶体管，特别适合中高压、小电流的放大与开关场景，在消费电子、工业控制和电源系统中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT5551-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5551-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT5551-FDICT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMBT5551 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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