Datasheet下载- 型号： SI2303BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2303BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2303BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2303BDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2303BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2303BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2303BDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景的详细说明： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI2303BDS-T1-GE3 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中作为主开关管，提供高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，该 MOSFET 可用作负载开关，实现快速开启/关闭和低功耗运行。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路或反向充电的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器和工业自动化中的小功率电机驱动电路。 - H 桥驱动器：在双极性电机控制应用中，可以与其他 MOSFET 配合组成 H 桥电路，实现电机的正转和反转。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和移动设备：由于其低导通电阻特性，适合用于这些设备的电源管理和信号切换。 - USB 充电端口保护：在 USB 接口设计中，可以用作电流限制或短路保护元件。 4. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：用于车窗升降、座椅调节等低功率系统的开关控制。 - LED 照明驱动：为车内 LED 灯条或其他照明系统提供高效驱动。 5. 工业应用 - 信号隔离与切换：在工业控制系统中，可作为高速信号切换的开关元件。 - 逆变器和 UPS：在小型不间断电源 (UPS) 或逆变器中，用作功率级开关。 特点总结 - 低导通电阻：典型值为 6.5mΩ（@ Vgs=4.5V），降低传导损耗。 - 高电流能力：连续漏极电流可达 8.7A（@ Tc=25°C），满足大电流需求。 - 小型封装：采用微型 DPAK 封装（TO-252），节省 PCB 空间。 - 快速开关：支持高频开关应用，减少开关损耗。 综上所述，SI2303BDS-T1-GE3 凭借其优异的性能参数，在消费电子、通信设备、汽车电子以及工业控制等领域均有广泛的应用前景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2303BDS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.49A （Ta） |
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