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型号： FDD4141
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDD4141产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD4141由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD4141价格参考。Fairchild SemiconductorFDD4141封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 40V 10.8A (Ta), 50A (Tc) 2.4W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)。您可以下载FDD4141参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD4141 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD4141是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于中高功率开关场景。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。

典型应用场景包括：  
1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为主开关元件，提升转换效率并降低能量损耗。  
2. 电机驱动：在电动工具、家用电器及工业控制中的电机驱动电路中，用于实现快速开关控制，提高响应速度与能效。  
3. 照明系统：适用于LED驱动电源，支持恒流输出与调光功能，满足高亮度LED的稳定工作需求。  
4. 电池管理系统：在便携式设备或电动车的电池保护电路中，用作充放电控制开关，提供过流与短路保护。  
5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中承担功率切换任务，确保电力输出的连续性与稳定性。

FDD4141采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和PCB布局，适合对空间和散热有要求的应用环境。凭借其可靠的性能和广泛的电压/电流承受能力，该器件在工业、消费电子和汽车辅助系统中均有广泛应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAKMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10.8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD4141PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDD4141
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.4 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	12.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
上升时间	7 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2775pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252
其它名称	FDD4141DKR
典型关闭延迟时间	38 ns
功率-最大值	2.4W
包装	Digi-Reel®
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	TO-252
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10.8A （Ta）， 50A （Tc）
系列	FDD4141
配置	Single