ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF1310NSTRLPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF1310NSTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1310NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1310NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRF1310NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF1310NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1310NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1310NSTRLPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换: IRF1310NSTRLPBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件适合用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,提供高效的开关控制和稳定的电流输出。 3. 负载开关: 在需要快速切换负载的应用中(如汽车电子或工业设备),IRF1310NSTRLPBF可以作为高性能负载开关,确保系统稳定运行。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池充放电管理中,这款MOSFET可以用作保护开关,防止过流、短路或过压等情况发生。 5. 照明系统: 用于LED驱动器或高压气体放电灯(HID)的镇流器中,实现精确的电流控制和调光功能。 6. 消费电子产品: 包括笔记本电脑适配器、家用电器中的功率控制模块等,利用其高效性能降低能耗。 7. 工业自动化: 在可编程逻辑控制器(PLC)、继电器替代方案以及工业传感器接口中,提供可靠的开关功能。 8. 汽车电子: 适用于车载电子设备,如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等,满足高可靠性和耐久性要求。 IRF1310NSTRLPBF凭借其出色的电气特性和封装设计,成为多种功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1310NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1310NSTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 73.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 73.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF1310NSTRLPBF-ND |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 36 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 73.3 nC |
| 标准包装 | 800 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 42 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1310ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1310ns.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |